国产芯片制造最新消息1颗芯片如何集成1万亿个晶体管

回顾自1947年晶体管诞生至今，人类已实现了前所未有的技术飞跃。随着时间的推移，我们对晶体管的需求日益增长，但其发展也面临瓶颈。摩尔定律放缓，引发了行业内对于延续这一规律的讨论。在2022年庆祝晶体管75周年之际，IEEE电子器件分会举办了一场活动，Fin-FET发明者胡正明教授与业界领先者共同探讨如何创新以维持这一趋势。

胡正明教授坚信我们仍需新的晶体管，他提出了三个理由：首先，由于晶体管不断进步，我们已经获得了前所未有的新能力，如计算、高速通信等；其次，半导体技术的发展不受材料和能源使用限制，而IC可以在较少材料中生产，并且正在变得越来越小和高效；最后，从理论上讲，可以将信息处理能量降低到今天水平的千分之一以下。

2030年之前，有望单颗芯片容纳1万亿个晶体管，这需要新的技术创新。不仅如此，还有3D封装技术能够进一步提升单个设备中的晶体管数量。英特尔在这方面取得了新进展，他们展示了一种全环绕栅极堆叠式纳米片结构，将厚度仅为三个原子的2D通道材料用于制造更好的双栅极结构晶体管。此外，他们还通过混合键合技术微缩互连间距，与系统级芯片（system-on-chip）连接相似的互连密度和带宽。