革新智能硬件台积电2nm制程工艺即将量产2025年见成果
【手机之家】6月20日，据外媒最新报道，台积电正在加速推进其2nm制程工艺的研发工作，这一技术革新预计将在2025年正式进入量产阶段。值得注意的是，在台积电最近举行的北美技术论坛上，该公司首次公开了这一目标，并表明他们将采取全新的纳米片电晶体架构来实现这一突破。这一创新与目前广泛使用的鳍式场效应晶体管（FinFET）相比，将大幅提升芯片性能和能效。
此前有消息透露，台积电已经提交了相关环保评审文件，并希望在2024年上半年通过审查，以便尽快开始建设第二代生产线。在完成风险试产后，计划于2025年全面投入量产。此举不仅标志着台积电对未来技术发展的坚定承诺，也为全球智能硬件行业注入了一剂强心针。
三星也正紧跟这个趋势，其晶圆代工业务负责人曾表示，他们计划在2022年的上半年开始基于3nm制程设计芯片，而对于更先进的2nm制程，他们则规划在2025年进行量产。值得指出的是，三星打算采用GAA（Gate-All-Around）晶体管，这种结构可以实现垂直堆叠，同时保持与现有CMOS工艺的一致性，从而降低新技术升级所需成本。此举不仅为用户带来了更高性能产品，也促使整个产业链向更加高效、可持续发展方向转型。
