1颗芯片如何集成10000亿晶体管26家企业力挺华为打造物联网新时代

回顾晶体管的75年历史，人类如何持续推动技术进步？IEEE Electron Device Society为纪念晶体管发明75周年举办活动，Fin-FET发明者胡正明教授对过去进行了回顾，并分享了延续摩尔定律的创新。胡正明教授强调，我们需要新的晶体管，因为它们不仅改变了科技、工业和科学，还有可能带来未知的新能力。理论上，信息处理能量可以减少到今天水平的一千分之一以下。

2030年前，我们将能够在单颗芯片中集成10000亿个晶体管。然而，研发新的晶体管面临经济和技术上的挑战。在过去，每隔几十年都有一次巨大的挑战，比如1980年代的功耗问题和2000至2010年的静态功耗问题。现在，业界正在采用3D CMOS结构中的环栅制造新型晶体管，而英特尔则使用RibbonFET实现GAA，但发现源极与漏极之间距离缩小导致短沟道效应。

学术界正在研究非硅材料，如过渡金属硫化物作为通道材料，这种材料只有三个原子厚度，对电子流动性好。而英特尔展示了一种全环绕栅极堆叠式纳米片结构，以2D通道材料实现低漏电流双栅极结构晶体管开关。此外，3D封装技术也被用来提升单个设备中的晶体管数量。